| 发明名称 | 图形化方法 | ||
| 摘要 | 一种图形化方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上由下至上依次形成富碳层和有机介质层；在所述有机介质层上形成图形化的光刻胶；以所述图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述有机介质层和所述富碳层，形成图形化的有机介质层和图形化的富碳层，所述图形化的有机介质层和图形化的富碳层中形成了窗口，所述窗口侧壁和图形化的有机介质层上表面附着有残渣；去除所述残渣；去除所述残渣后，通过所述窗口刻蚀所述待刻蚀层，形成图形化的待刻蚀层。本发明提供的图形化方法得到的图形化的待刻蚀层形貌良好，且尺寸精确。 | ||
| 申请公布号 | CN104425221A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310382866.9 | 申请日期 | 2013.08.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周俊卿;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种图形化方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上由下至上依次形成富碳层和有机介质层；在所述有机介质层上形成图形化的光刻胶；以所述图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述有机介质层和所述富碳层，形成图形化的有机介质层和图形化的富碳层，所述图形化的有机介质层和图形化的富碳层中形成了窗口，所述窗口侧壁和图形化的有机介质层上表面附着有残渣；去除所述残渣；去除所述残渣后，通过所述窗口刻蚀所述待刻蚀层，形成图形化的待刻蚀层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||