发明名称 晶体管和包括该晶体管的显示装置
摘要 提供了晶体管和包括该晶体管的显示装置。该晶体管可以包括具有多层结构的沟道层。沟道层可包括第一层和第二层,该第一层和第二层包括具有各自浓度的多个元素中的至少一个,该第一层可以比第二层更靠近栅极设置。由于元素和元素各自的浓度的组合,所以第二层可具有比第一层的电阻高的电阻。第一层和第二层中的至少一个可包括包含锌、氧和氮的半导体材料。替代地,第一层和第二层中的至少一个可包括包含锌氟氮化物的半导体材料。第二层的氧含量可以高于第一层的氧含量。第二层的氟含量可以高于第一层的氟含量。
申请公布号 CN104425611A 申请公布日期 2015.03.18
申请号 CN201410182596.1 申请日期 2014.04.30
申请人 三星电子株式会社 发明人 金善载;金兑相;柳明官;朴晙皙;徐锡俊;孙暻锡;赵成豪
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 屈玉华
主权项 一种晶体管,包括:沟道层,具有多层结构;源极和漏极,分别接触所述沟道层的第一区和第二区;栅极,与所述沟道层相应;和栅绝缘层,设置在所述沟道层和所述栅极之间,其中所述沟道层包括第一层和第二层,其中所述第一层比所述第二层更靠近所述栅极设置,其中所述第一层和所述第二层包括包含锌、氧和氮的半导体材料;和其中所述第二层具有比所述第一层的电阻高的电阻。
地址 韩国京畿道