非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法

摘要

本发明公开一种非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供N型硅片；在所述硅片正面生长形成氧化层作为保护层；在所述硅片背面进行P型离子注入；对所述硅片进行退火处理以推阱；其中退火温度大于500摄氏度；去除所述硅片正面的氧化层，并在所述硅片正面形成非穿通型绝缘栅双极晶体管的正面结构；在所述硅片正面和背面进行金属化。上述方法中，由于是在金属层形成之前进行P型层的退火处理，因此P型层的退火处理温度不会受到金属熔化温度的限制，可以采用较高的温度进行退火处理，从而形成的NPT IGBT的性能更高。同时，该方法也与传统工艺兼容，因此效率较高。

主权项

一种非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供N型硅片；在所述硅片正面生长形成氧化层作为保护层；在所述硅片背面进行P型离子注入；对所述硅片进行退火处理以推阱；其中退火温度大于500摄氏度；去除所述硅片正面的氧化层，并在所述硅片正面形成非穿通型绝缘栅双极晶体管的正面结构；在所述硅片正面和背面进行金属化。