发明名称 一种介质钝化膜和太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明涉及一种介质钝化膜和太阳能电池及其制备方法,具体地公开了一种适用于硅基材料的表面介质钝化膜,该介质钝化膜是位于硅基材料表面的氮化硅介质钝化膜,钝化膜中含有选自下组的掺杂元素:使氮化硅介质钝化膜表现为负电性的掺杂元素、使氮化硅介质钝化膜表现为正电性的掺杂元素、或其组合。本发明的表面介质钝化膜不仅具有优异的抗反射性和钝化性,而且可具有光照增强钝化效果,且在短时间的光照下就能到达饱和钝化值。此外,本发明还公开了一种含有该表面介质钝化膜的镀膜硅基材和太阳能电池及其制备方法。
申请公布号 CN104425633A 申请公布日期 2015.03.18
申请号 CN201310390528.X 申请日期 2013.08.30
申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明人 叶继春;王洪喆;高平奇;潘淼;韩灿
分类号 H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/042(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I 主分类号 H01L31/0216(2014.01)I
代理机构 上海一平知识产权代理有限公司 31266 代理人 祝莲君;刘真真
主权项 一种适用于硅基材料的表面介质钝化膜,其特征在于,所述的表面介质钝化膜包括位于硅基材料表面的氮化硅介质钝化膜,并且所述的氮化硅介质钝化膜中含有掺杂元素,所述掺杂元素选自下组:使氮化硅介质钝化膜表现为负电性的掺杂元素、使氮化硅介质钝化膜表现为正电性的掺杂元素、或其组合;其中,所述使氮化硅介质钝化膜表现为负电性的掺杂元素选自:磷、砷、锑或其组合;所述使氮化硅介质钝化膜表现为正电性的掺杂元素选自:硼、铝、镓、铟、铊、锌或其组合。
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