鳍式场效应晶体管及其形成方法、半导体器件

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法、半导体器件，其中鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供基底，在所述基底上形成有伪栅极；在所述伪栅极两侧的基底中形成源极、漏极；在所述基底上形成层间介质层，所述层间介质层上表面与伪栅极上表面持平；去除所述伪栅极，在所述层间介质层中形成伪栅沟槽；对所述伪栅沟槽底部的基底部分进行图形化，在所述源极与漏极之间形成鳍部，所述鳍部两端分别连接源极、漏极；在所述伪栅沟槽中形成横跨鳍部的高K栅介质层和栅极。本技术方案为先形成伪栅极，再形成鳍部，避免形成伪栅极过程中的鳍部高度对栅极高度的影响，实现准确定位栅极高度，栅极高度与预定义高度基本相符，鳍式场效应晶体管中的信号传递可靠。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成有伪栅极；在所述伪栅极两侧的基底中形成源极、漏极；在所述基底上形成层间介质层，所述层间介质层上表面与伪栅极上表面持平；去除所述伪栅极，在所述层间介质层中形成伪栅沟槽；对所述伪栅沟槽底部的基底部分进行图形化，在所述源极与漏极之间形成鳍部，所述鳍部两端分别连接源极、漏极；在所述伪栅沟槽中形成横跨所述鳍部的高K栅介质层和位于高K栅介质层上的栅极。