发明名称 |
Cu<sub>2-x</sub>Se纳米晶片的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种Cu<sub>2-x</sub>Se纳米晶片的制备方法,其特点是:包括以下制备过程:⑴配制铜前躯体溶液;⑵配制硒前驱体溶液;⑶注入回流,出现Cu<sub>2-x</sub>Se纳米晶片;⑷对Cu<sub>2-x</sub>Se纳米晶片进行洗涤、液体脱离,完成本发明Cu<sub>2-x</sub>Se纳米晶片的制作过程。本发明采用了多元醇为溶剂、乙二胺为还原剂,无机铜盐为先质,易于溶解、对设备要求低,不仅解决了环境污染的问题,并且降低了产品制作成本;本发明常压下通过溶液化学合成的方法,不仅工艺简单、易于控制、排放量少、安全性好,而且制成的Cu<sub>2-x</sub>Se纳米晶片具有分散性好、形貌均一、结晶度高的特点,利于大规模工业化生产。 |
申请公布号 |
CN104418311A |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201310362892.5 |
申请日期 |
2013.08.19 |
申请人 |
天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
发明人 |
王鑫 |
分类号 |
C01B19/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B19/04(2006.01)I |
代理机构 |
天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 |
代理人 |
李凤 |
主权项 |
Cu<sub>2‑x</sub>Se纳米晶片的制备方法,其特征在于:包括以下制备过程:⑴配制铜前躯体溶液将无机铜盐溶解到多元醇溶剂中,形成铜前驱体溶液;⑵配制硒前驱体溶液将Se粉和PVP溶剂注入盛有三乙二醇多元醇溶剂的容器中,加入乙二胺还原剂,惰性气氛下加热至180℃以上,Se粉完全溶解后,形成硒前驱体溶液;⑶注入回流继续加热硒前驱体溶液至210℃以上作为注入温度,将铜前驱体溶液与硒前驱体溶液进行反应;调节注入温度至150℃以上作为回流温度,保持5min‑2h作为回流时间,然后将反应容器置于常温水中,猝灭其反应过程,反应容器中出现Cu<sub>2‑x</sub>Se纳米晶片(其中X为0.1‑0.2);⑷分离分离掉反应容器中的液体,得到固态Cu<sub>2‑x</sub>Se纳米晶片;对Cu<sub>2‑x</sub>Se纳米晶片进行洗涤、液体脱离,完成本发明Cu<sub>2‑x</sub>Se纳米晶片的制作过程。 |
地址 |
300384 天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰华科七路6号 |