| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ-Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN104425620A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201410443424.5 | 申请日期 | 2014.09.02 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李东洙;李明宰;赵成豪;穆罕默德·拉基布·乌丁;大卫·徐;梁炆承;李商文;李成训;许智贤;黄义澈 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：化合物半导体层，其包含第Ⅲ到第Ⅵ主族中的至少一种元素；电介质层，其布置在所述化合物半导体层上；以及氧吸附层，其插入在所述化合物半导体层与所述电介质层之间，所述氧吸附层包含与所述化合物半导体层的材料相比对氧有更高亲和性的材料。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||