发明名称 |
直列式涂覆设备 |
摘要 |
本发明涉及一种直列式涂覆设备,该直列式涂覆设备包括至少一个加工室,该加工室具有在基底穿过该加工室的输送方向依次安排的至少两个等离子体源。本发明的目的是提供这样一种直列式等离子涂覆设备,这种设备能够进行高质量的多层式层和/或梯度层的连续、大表面的、并且有效的沉积。为此,提供了这样一种直列式等离子体涂覆设备,其中该至少两个等离子体源是在不同激发频率下工作的不同等离子体源。 |
申请公布号 |
CN102725439B |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201080060604.5 |
申请日期 |
2010.12.20 |
申请人 |
德国罗特·劳股份有限公司 |
发明人 |
J·迈;赫尔曼·施勒姆;T·格罗斯;D·德科尔;M·格利姆 |
分类号 |
C23C16/517(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/517(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
丁香兰;庞东成 |
主权项 |
一种用于等离子体增强的化学气相沉积的直列式涂覆设备,该直列式涂覆设备包括至少一个加工室(1,2),该加工室具有在基底(13)穿过该加工室(1,2)的输送方向上依次安排的至少两个等离子体源,其特征在于该至少两个等离子体源是不同的等离子体源(6,7),其中该至少两个等离子体源(6,7)是在不同的激发频率下工作的等离子体源,并且其中该至少两个等离子体源(6,7)具有至少一个在直流直至100MHz的范围内工作的第一等离子体源(6)以及至少一个在100MHz到几个GHz范围内工作的第二等离子体源(7),该至少两个等离子体源(6,7)是以一种线性安排进行组合的点源或圆对称的源,其中所述等离子体源之间的距离被选择成使得其这些单独的等离子体在这些基底(13)的表面处被重叠以便形成公共的等离子体,其中,所述至少一个加工室(1,2)是真空室,并且在真空或减压下工作。 |
地址 |
德国霍恩施泰因-恩斯塔尔 |