发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
若根据实施形态,则半导体装置是具备设于同基板上的开关元件及二极体。开关元件是具有:第1半导体层,第1半导体领域,第2半导体领域,通道领域,闸极绝缘膜,闸极电极,第1电极及第2电极。第1半导体层是设在基板内,与基板电性分离。二极体是具有:第2半导体层,阳极领域,阴极领域,阳极电极及阴极电极。第2半导体层是设在基板内,与基板电性分离。 |
申请公布号 |
TW201511222 |
申请公布日期 |
2015.03.16 |
申请号 |
TW103107051 |
申请日期 |
2014.03.03 |
申请人 |
东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
高桥启太 TAKAHASHI, KEITA |
分类号 |
H01L27/04(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 |
主权项 |
|
地址 |
日本 JP |