发明名称 半导体装置
摘要 若根据实施形态,则半导体装置是具备设于同基板上的开关元件及二极体。开关元件是具有:第1半导体层,第1半导体领域,第2半导体领域,通道领域,闸极绝缘膜,闸极电极,第1电极及第2电极。第1半导体层是设在基板内,与基板电性分离。二极体是具有:第2半导体层,阳极领域,阴极领域,阳极电极及阴极电极。第2半导体层是设在基板内,与基板电性分离。
申请公布号 TW201511222 申请公布日期 2015.03.16
申请号 TW103107051 申请日期 2014.03.03
申请人 东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 高桥启太 TAKAHASHI, KEITA
分类号 H01L27/04(2006.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 H01L27/04(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本 JP