半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

提供一种并不需要对于与字元线(WL)进行自我整合之元件分离区域施加电压的半导体装置。半导体装置之制造方法，系具备有：形成将在X方向上相邻接之活性区域(3a)相互作了连接的形状之假活性区域之工程；和形成牺牲膜之工程；和藉由亦包含牺牲膜地而进行蚀刻，来形成区划出活性区域(3a)之复数之第1沟渠之工程；和在复数之第1沟渠中埋入元件分离用绝缘膜(10)，之后将上述牺牲膜除去之工程；和形成将元件分离用绝缘膜(10)之露出侧面作覆盖之第1侧壁绝缘膜，并形成将此第1侧壁绝缘膜之侧面作覆盖的第2侧壁绝缘膜之工程；和在起因于形成了第2侧壁绝缘膜一事所出现的复数之第2沟渠中埋入帽绝缘膜之工程；和在第2侧壁绝缘膜之位置处形成复数之第3沟渠，并于其下部形成字元线(WL)之工程。