发明名称 |
半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
本发明的目的是提供电荷保持特性优异的半导体装置。作为使闸极与保持电荷的节点连接的电晶体,另行设置藉由包含厚闸极绝缘膜来达成降低泄漏电流的电晶体。使用该另行设置的电晶体及将氧化物半导体用于包含通道形成区域的半导体层的电晶体形成保持电荷的节点,来在该节点中保持对应于资料的电荷。 |
申请公布号 |
TW201511235 |
申请公布日期 |
2015.03.16 |
申请号 |
TW103120712 |
申请日期 |
2014.06.16 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
黒川义元 KUROKAWA, YOSHIYUKI |
分类号 |
H01L27/115(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |