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Ein Einstellbereich (1b) mit niedriger Lebensdauer vom n-Typ wird in einem Abschnitt innerhalb eines Driftbereichs (1) vom n–-Typ tiefer als die untere Oberfläche eines Abschlussbasisbereichs (2-1) vom p-Typ oder eines Schutzrings (7) vom p-Typ von einer vorderen Oberfläche des Substrats, der vom Abschlussbasisbereich (2-1) vom p-Typ und vom Schutzring (7) vom p-Typ getrennt ist, geschaffen. Die Ladungsträgerlebensdauer des Einstellbereichs (1b) mit niedriger Lebensdauer vom n-Typ ist kürzer als die Ladungsträgerlebensdauer des Driftbereichs (1) vom n–-Typ. Aufgrund dessen ist es möglich, einen rückwärts sperrenden IGBT zu schaffen, so dass es möglich ist, sowohl einen Sperrkriechstrom bei hoher Temperatur als auch eine Erhöhung des Ausschaltverlusts zu unterdrücken, während die Verschlechterung der Kompromissbeziehung zwischen dem Ausschaltverlust und der Durchlasszustandsspannung unterdrückt wird. |
