| 摘要 |
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung das Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks, einschließlich einer Vorrichtungsregion auf einer ersten Seite des Halbleiterwerkstücks, wobei eine mechanische Stabilität des Halbleiterwerkstücks nicht ausreichend ist, um wenigstens einem Backend-Prozess ohne Beschädigung zu widerstehen (102), und das Aufbringen von wenigstens einer leitfähigen Schicht über einer zweiten Seite des Halbleiterwerkstücks gegenüber der ersten Seite des Halbleiterwerkstücks umfassen, wobei die wenigstens eine leitfähige Schicht die mechanische Stabilität des Halbleiterwerkstücks erhöht, um ausreichend zu sein, dem wenigstens einen Backend-Prozess ohne Beschädigung zu widerstehen (104). |
