发明名称 |
一种轻载瞬态增强电路及集成该电路的低压差线性稳压器 |
摘要 |
本发明公开了一种轻载瞬态增强电路及集成该电路的低压差线性稳压器,包括动态偏置电压生成电路、负载电流控制开关、稳压电容、泻放电路和输出电路;轻载瞬态增强电路在轻载时不消耗任何静态电流,当低压差线性稳压器从重载切换到轻载时,轻载瞬态增强电路提供逐渐递减的负载电流,大幅减小低压差线性稳压器的建立时间,从而克服了现有的低压差线性稳压器从重载切换到轻载时建立时间过长的问题;其次,本发明不需要过多额外的辅助电路,结构简单,可以增强低压差线性稳压器轻载的瞬态响应性能,能够适用于超低功耗医疗电子应用。 |
申请公布号 |
CN104407662A |
申请公布日期 |
2015.03.11 |
申请号 |
CN201410674132.2 |
申请日期 |
2014.11.21 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
郑文锋;屈熹;刘珊;杨波;林鹏;李晓璐 |
分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 |
成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 |
代理人 |
温利平 |
主权项 |
一种轻载瞬态增强电路,其特征在于,包括: 一动态偏置电压生成电路,包括PMOS管MP1和NMOS管MN1;PMOS管MP1的栅极电压为低压差线性稳压器调整管MP的栅极电压VGP,源极分别连接到输入电源VDD,PMOS管MP1漏极与NMOS管MN1的漏极、栅极相连接,NMOS管MN1的源极相连接地,动态偏置电压生成电路生成NMOS管自适应偏置电压VBNA,即NMOS管MN1的栅极电压; 一负载电流控制开关,包括PMOS管MP2、PMOS管MP3和NMOS管MN2;PMOS管MP2的源极相连接入到输入电源VDD,PMOS管MP2的栅极连接PMOS管恒定偏置电压VBP,PMOS管MP2的漏极与PMOS管MP3的栅极和NMOS管MN2的漏极相连接;PMOS管MP3的源极接入到输入电源VDD,漏极连接稳压电容C1的一端;NMOS管MN2的栅极连接自适应偏置电压VBNA,源极接地,轻载时,VC电压为电源电压,PMOS管MP3关断;重载时,VC电压为地电压,PMOS管MP3开启; 一稳压电容C1,稳压电容C1一端连接PMOS管MP3的漏极,另外一端接地,用于设置输出电路的电流下降速度; 一泻放电路,包括NMOS管MN3;NMOS管MN3的源极接地,栅极连接NMOS管的第一恒定偏置电压VBN1,漏极连接PMOS管MP3的漏极;泻放电路保证轻载瞬态增强电路在轻载工作时的输出电流为0,并配合稳压电容C1设置输出电路的电流下降速度; 一输出电路,包括NMOS管MN4;NMOS管MN4的源极接地,栅极连接PMOS管MP3的漏极,漏极连接低压差线性稳压器的输出电压VOUT;输出电路在低压差线性稳压器从重载切换到轻载时提供逐渐递减的负载电流。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |