发明名称 侦测读取扰动产生之位元错误的记忆体系统及其方法
摘要
申请公布号 TWI476777 申请公布日期 2015.03.11
申请号 TW097122690 申请日期 2008.06.18
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 安世镇;金容铉;崔成业;金龙经
分类号 G11C29/42 主分类号 G11C29/42
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种读取记忆体系统中之快闪记忆体之方法,所述方法包含:回应于来自主机的请求以自所述快闪记忆体之选择页面读取资料;侦测并校正自所述选择页面读取之所述资料中的位元错误;回应于来自所述主机的所述请求以自所述快闪记忆体之另一页面读取资料,其中在所述快闪记忆体之多个页面中随机地选择所述另一页面;侦测自所述快闪记忆体之所述另一页面读取之所述资料中的位元错误。
地址 南韩
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