| 发明名称 | 高导热氮化硅陶瓷覆铜板及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高导热氮化硅陶瓷覆铜板及其制备方法，涉及覆铜板制造技术领域。包括高导热氮化硅陶瓷基板和无氧铜层，所述高导热氮化硅陶瓷基板上下两个表面分别与无氧铜层焊接连接，所述的焊接为通过活性金属焊膏在真空钎焊炉中高温焊接。本发明采用高强度高导热氮化硅基板的弯曲强度是氮化铝陶瓷基板的2-3倍，可以实现其与厚铜基板的覆接；热导率是氧化铝陶瓷基板3-4倍，大幅提高基板的散热性能；采用的活性焊铜工艺与直接覆铜工艺相比界面结合力更高、空洞更少、可靠性更高。因此，具有高强度、高导热、高可靠的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN104409425A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410638370.8 | 申请日期 | 2014.11.13 |
| 申请人 | 河北中瓷电子科技有限公司 | 发明人 | 赵东亮;刘志平;刘圣迁;郝宏坤;杨哲 |
| 分类号 | H01L23/15(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 米文智 |
| 主权项 | 一种高导热氮化硅陶瓷覆铜板，其特征在于：包括高导热氮化硅陶瓷基板（1）和无氧铜层（2），所述高导热氮化硅陶瓷基板（1）上下两个表面分别与无氧铜层（2）焊接连接。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市新华区合作路113号 | ||