| 发明名称 | 低导通电阻VDMOS器件及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低导通电阻VDMOS器件及制备方法，在传统的VDMOS器件结构中引入一块与源区掺杂杂质相同的掺杂区。该掺杂区位于栅氧层正下方且与基区和栅氧层紧密接触。相应地，新掺杂区上方的栅极采用中空结构。本发明VDMOS器件可有效降低沟道导通电阻和颈区电阻，从而降低VDMOS器件的导通电阻；同时，采用中空结构的栅极既可避免新掺杂区对击穿电压的影响，也可降低栅极与漏极间结电容，提高VDMOS的开关速度。本发明方法工艺简单，易于工业化。 | ||
| 申请公布号 | CN104409507A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410745311.0 | 申请日期 | 2014.12.08 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 刘锋;刘胜;王国平;叶双莉 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人 | 胡艳 |
| 主权项 | 低导通电阻VDMOS器件，包括漏极（1）、衬底（2）、漂移区（3）、基区（5）、源区（6）、接触区（7）、栅极（8）、栅氧层（9）和源极（10），其特征在于：漂移区（3）内增加了与源区掺杂杂质相同的掺杂区（4），掺杂区（4）位于栅氧层（9）正下方且与基区（5）和栅氧层（9）紧密接触。 | ||
| 地址 | 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 | ||