声表面波装置

摘要

本发明提供一种声表面波装置，即使谋求高频化也难以产生成品率变差和浪涌电压耐受性等可靠性变差，而且能获得良好的频率特性。声表面波装置(1)中，在压电基板(2)上形成IDT电极(3)，在IDT电极(3)上层叠第1绝缘膜(7)、和至少1层的第2绝缘膜(8)，利用SH波的高阶模式，且比起位于最外表面的第2绝缘膜(8)的声表面波的音速，位于较最外表面的绝缘膜(8)更接近IDT电极(3)的一侧的第1绝缘膜(7)的声表面波的音速更快。

主权项

一种声表面波装置，具备：压电基板；形成于所述压电基板上的IDT电极；在所述压电基板上按照覆盖所述IDT电极的上表面的方式而形成的第1绝缘膜；和在所述第1绝缘膜上形成的至少一层的第2绝缘膜，所述声表面波装置按照利用SH波的高阶模式的方式构成压电基板、IDT电极、第1绝缘膜、以及至少一层的第2绝缘膜，并且，与在所述至少一层的第2绝缘膜中的位于最外表面的绝缘膜中传播的声表面波的音速相比，位于较该最外表面的绝缘膜而更接近IDT电极的一侧的至少一层的绝缘膜的声表面波的音速更快，位于所述最外表面的绝缘膜由氧化硅构成，且其膜厚为所述声表面波的波长的45％以上且85％以下，最外表面的绝缘膜以外的绝缘膜由从氮化硅、氧化铝以及碳化硅构成的组中选择出的一种绝缘材料构成，且膜厚为声表面波的波长的5％以上且21％以下。