| 发明名称 | X射线探测器背板的制造方法及PIN光电二极管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种X射线探测器背板的制造方法及PIN光电二极管的制造方法。所述PIN光电二极管的制造方法包括：在基板上沉积N型非晶硅薄膜；在N型非晶硅薄膜上沉积本征非晶硅薄膜；采用B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>对本征非晶硅薄膜进行离子注入，并对离子注入后的本征非晶硅薄膜进行活化工艺，从而在本征非晶硅薄膜的上层形成P型非晶硅薄膜；进行掩模光刻工艺，得到PIN光电二极管的P型层、I型层和N型层。本发明采用离子注入和活化工艺来形成PIN光电二极管，能够避免在PECVD上增加B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>气体进行PIN光电二极管和X射线探测器背板的制造时，所带来的气体交叉污染问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102856441B | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201210343082.0 | 申请日期 | 2012.09.14 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 郭炜;任庆荣;赵磊 |
| 分类号 | H01L31/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 黄灿;赵爱军 |
| 主权项 | 一种PIN光电二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法采用离子注入和活化工艺来形成PIN光电二极管；所述的制造方法包括：在基板上沉积N型非晶硅薄膜；在N型非晶硅薄膜上沉积本征非晶硅薄膜；采用B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>对本征非晶硅薄膜进行离子注入，并对离子注入后的本征非晶硅薄膜进行活化工艺，从而在本征非晶硅薄膜的上层形成P型非晶硅薄膜；进行掩模光刻工艺，得到PIN光电二极管的P型层、I型层和N型层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||