一种有机铵金属卤化物薄膜的制备方法

摘要

一种有机铵金属卤化物薄膜的制备方法，采用半封闭式的无载气热壁型低压化学气相沉积法工艺制备，步骤如下：首先利用干法或湿法在石英衬底上制备金属卤化物(MX₂)薄膜，并转移至一端密封一端有磨口的玻璃管中进行退火；然后通过热壁将能量传递玻璃管内的有机铵(AX)粉末，通过AX蒸气在低真空中的自扩散形成蒸气团，与MX₂在热的基底上发生化学反应，生成厚度均一、形貌良好、吸光率高、表面光滑的薄膜，进行原位后退火后，生成结构致密、结晶度高的AMX₃薄膜。本发明的优点是：能够在薄膜形成过程中原位退火、无需连续抽真空，缩短制备时间、降低能源消耗、成膜效率高，薄膜中电荷捕获陷阱减少，载流子迁移率得到提高。

主权项

一种有机铵金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于：采用半封闭式的无载气热壁型低压化学气相沉积法(HW‑LPCVD)工艺制备，包括以下步骤：1)在隔绝空气的条件下用湿法或干法在清洗干净的基底上制备金属卤化物(MX₂)薄膜，将装载样品的腔体抽真空，在真空度为0.1‑1000 Pa、温度为60‑100摄氏度下通过样品支架对MX₂薄膜进行退火5‑10分钟以除去残余溶剂和杂质气体，同时在60‑100℃温度下加热5‑10分钟以除去腔体内部吸附的杂质气体；2)将制备的薄膜样品与有机铵卤化物(AX)粉末置于装载样品的腔体内，在温度为110‑200℃下反应10‑30分钟；3)反应完全后停止样品架加热；4)制得AMX₃薄膜，充入惰性气体保存。