| 发明名称 | 一种基于氧化镓薄膜的单极型阻变存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于氧化镓薄膜的单极型阻变存储器。本发明由下电极、阻变层和上电极构成，具体是指以Pt/Ti/SiO<sub>2</sub>/Si衬底为下电极，采用激光脉冲沉积的方法在衬底上生长非晶氧化镓薄膜作为阻变层，再通过磁控溅射的方法溅射直径为200μm的Pt点电极作为上电极，制备得到的Pt/Ga<sub>2</sub>O<sub>3-x</sub>/Pt三明治结构。本发明的优点：制备过程简单，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、结构连续，制备的氧化镓薄膜单极型阻变存储器，具有高低阻值比大、保持性能好、存储密度高、易读取等优势。本发明制备的氧化镓薄膜单极型阻变存储器在非易失性存储领域具有良好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN104409630A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410706693.6 | 申请日期 | 2014.11.27 |
| 申请人 | 浙江理工大学 | 发明人 | 李培刚;郭道友;安跃华;吴真平;唐为华;汪鹏超;王顺利;朱志艳 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 浙江英普律师事务所 33238 | 代理人 | 陈小良 |
| 主权项 | 一种基于氧化镓薄膜的单极型阻变存储器，其特征在于：由下电极、阻变层和上电极构成，阻变层为氧化镓薄膜，氧化镓的成分为Ga<sub>2</sub>O<sub>3‑x</sub>，其中x为0.2—0.4，氧化镓阻变层的厚度为250nm—350nm，上电极、下电极均为Pt金属，上电极为点电极，直径为200μm。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区 | ||