一种在基片水平方向可控生长碳纳米管束的方法

摘要

本发明公开了一种在基片水平方向可控生长碳纳米管束的方法，属于纳米材料制备技术领域。该方法包括如下步骤：（1）在第一片基片表面加工出水平方向的微纳通道；（2）在微纳通道底部的一端沉积催化膜，并对其进行图形化；（3）采用键合工艺将第二片基片覆盖在微纳通道上方；（4）在第二片基片上刻蚀出与微纳通道连通的通气孔，形成半封闭式微纳通道；（5）在半封闭式微纳通道内生长碳纳米管束；（6）除去第二片基片、通气孔中的碳纳米管及其碳纳米管束四周的基片，即在基片水平方向得到与微纳通道尺寸一致的碳纳米管束。其优点是：在基片水平方向上可获得取向、尺寸、位置精确可控的碳纳米管束；工艺过程简单，易于实现，用途广泛。

主权项

一种在基片水平方向可控生长碳纳米管束的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）采用光刻和刻蚀工艺在第一片基片表面加工出水平方向的微纳通道；（2）采用薄膜沉积工艺和光刻工艺在步骤（1）加工出的微纳通道底部的一端沉积催化膜，并对其图形化；（3）采用键合工艺将第二片基片覆盖在经过步骤（2）沉积催化膜后的微纳通道上方，形成封闭式微纳通道；（4）减薄第二片基片并在其上刻蚀出与微纳通道相连的通气孔，通气孔位于微纳通道另一端顶部，形成半封闭式微纳通道；（5）采用化学气相沉积工艺在步骤（4）制备的半封闭式微纳通道内生长碳纳米管束；（6）依次采用研磨、化学机械抛光工艺除去第二片基片和通气孔中的碳纳米管，采用刻蚀工艺去除碳纳米管束四周的基片，即在第一片基片水平方向得到与微纳通道尺寸一致的碳纳米管束。