半导体装置及其制造方法及冲洗液

摘要

本发明中提供一种半导体装置的制造方法，其包括：于具备具有凹部的层间绝缘层、以及其至少一部分在凹部的底面的至少一部分上露出的包含铜的配线的半导体基板上赋予半导体用密封组合物，至少在凹部的底面及侧面形成密封层的工序，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能基且重均分子量为2000～1000000的聚合物，Na及K的含量以元素基准计为10质量ppb以下；以及于温度200℃以上425℃以下的条件下对半导体基板的形成有密封层之侧的面进行热处理，将形成于配线的露出面上的密封层的至少一部分去除的工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其包括：密封组合物赋予工序，对具备设置有凹部的层间绝缘层以及包含铜的配线的半导体基板的至少所述凹部的底面及侧面赋予半导体用密封组合物，至少于所述凹部的底面及侧面形成半导体用密封层，所述包含铜的配线的表面的至少一部分在所述凹部的底面的至少一部分上露出，所述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能基且重均分子量为2000～1000000的聚合物，钠及钾的含量分别以元素基准计为10质量ppb以下；以及去除工序，于温度200℃以上425℃以下的条件下对所述半导体基板的形成有所述半导体用密封层之侧的面进行热处理，将形成于所述配线的露出面上的半导体用密封层的至少一部分去除。