发明名称 一种晶体硅太阳能电池的制作方法
摘要 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制作方法,包括以下步骤:步骤1、制备复合浆料:在液态铟镓合金中混合固态铜粉,搅拌均匀后得到复合浆料;步骤2、制备选择性发射极:在硅片正面电极区域进行激光开槽;步骤3、丝网印刷正面电极:用高准丝网印刷工艺在开槽区域印刷步骤1得到的复合浆料;步骤4、低温烧结;步骤5、在基底层和背面接触件之间形成一第一钝化层和一隧道接触层,在钝化层和基底层之间装有一个由a-Si构成的本征层,钝化层由与基底层极性相同的掺杂材料构成。本发明的制作方法采用低熔点铟镓合金和铜粉的混合物作为电极材料,在保持现有电极材料-铜所具有的高导通性和低电阻率的同时,大大降低了成本。
申请公布号 CN104409570A 申请公布日期 2015.03.11
申请号 CN201410673494.X 申请日期 2014.11.21
申请人 广西智通节能环保科技有限公司 发明人 黄继昌;蔡桂钧;蒋红光
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人 温旭
主权项 一种晶体硅太阳能电池的制作方法,其特征是:包括以下步骤:步骤1、制备复合浆料:在液态铟镓合金中混合固态铜粉,搅拌均匀后得到复合浆料;步骤2、制备选择性发射极:在硅片正面电极区域进行激光开槽;步骤3、丝网印刷正面电极:用高准丝网印刷工艺在开槽区域印刷步骤1得到的复合浆料;步骤4、低温烧结:在温度为300~400℃下进行烧结,形成正面电极;步骤5、在基底层和背面接触件之间形成一第一钝化层和一隧道接触层,在钝化层和基底层之间装有一个由a‑Si构成的本征层,钝化层由与基底层极性相同的掺杂材料构成。
地址 545001 广西壮族自治区柳州市桂中大道阳光100城市广场2-20-9室