| 发明名称 | 栅极的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面依次形成有栅介质层、栅电极层、中间层、多晶硅层和包括第一图形的第一图案层，所述第一图形定义出待形成栅极的线路末端之间的距离；以第一图案层为掩膜，向所述多晶硅层内掺杂离子；去除第一图案层和具有掺杂离子的多晶硅层，形成开口；形成覆盖所述开口和多晶硅层表面的第二图案层，所述第二图案层具有第二图形，所述第二图形定义出待形成栅极的线宽；以所述具有第二图形的第二图案层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层，形成具有第三图形的多晶硅层；以所述具有第三图形的多晶硅层为掩膜，刻蚀所述中间层、栅电极层形成栅极。本发明的实施例解决了栅极工艺中的线端缩短问题，提高了良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102956461B | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201110252734.5 | 申请日期 | 2011.08.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;顾一鸣 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有栅介质层；所述栅介质层表面形成有栅电极层；所述栅电极层表面形成有中间层；所述中间层表面形成有多晶硅层；所述多晶硅层表面形成有包括第一图形的第一图案层，所述第一图形定义出待形成的相邻栅极的线路末端之间的距离；以所述第一图案层为掩膜，向所述多晶硅层内掺杂离子；去除所述第一图案层和具有掺杂离子的多晶硅层，形成开口；形成覆盖所述开口和多晶硅层表面的第二图案层，所述第二图案层具有第二图形，所述第二图形定义出待形成栅极的线宽；以所述具有第二图形的第二图案层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层，形成具有第三图形的多晶硅层；以所述具有第三图形的多晶硅层为掩膜，刻蚀所述中间层、栅电极层形成栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||