发明名称 辐射探测电路
摘要 本发明提供了一种辐射探测电路,包括:辐射感应探测器,所述辐射感应探测器为用于感测待测辐射的PMOS晶体管;电流控制器,用于控制所述辐射感应探测器中通过的电流大小;信号放大器,用于放大所述辐射感应探测器的输出;比较放大器,用于将信号放大器的输出与参考信号进行比较,将比较产生的差值放大后输出。本发明通过使用恒定电流源将由辐射敏感PMOS管所产生的电流,转换为阈值电压的变化,经放大器比较读出后能直接得到辐射的总剂量,不仅简便易行,且电路结构简单,无多余的耗电元件,与现有技术相比极大地降低了功耗。
申请公布号 CN104407373A 申请公布日期 2015.03.11
申请号 CN201410594331.2 申请日期 2014.10.29
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生;罗家俊
分类号 G01T1/24(2006.01)I 主分类号 G01T1/24(2006.01)I
代理机构 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人 朱海波
主权项 一种辐射探测电路,包括:辐射感应探测器,所述辐射感应探测器为用于感测待测辐射的PMOS晶体管;电流控制器,用于控制所述辐射感应探测器中通过的电流大小;信号放大器,用于放大所述辐射感应探测器的输出;比较放大器,用于将信号放大器的输出与参考信号进行比较,将比较产生的差值放大后输出。
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号