牺牲层蚀刻方法

主权项

一种牺牲层蚀刻方法，应用于一积体电路制程上，该蚀刻方法包含下列步骤：提供一基板；于该基板上之一第一区域上覆盖一硬罩幕而露出一第二区域；对该第二区域中之一牺牲层进行一第一蚀刻制程，用以除去该牺牲层之部份厚度并产生一副产物薄膜附着于该基板的表面上；对该副产物薄膜进行一第二蚀刻制程，用以去除部份之该副产物薄膜而留下该牺牲层侧面上之该副产物薄膜；以及对侧壁上具有该副产物薄膜之该牺牲层进行一第三蚀刻制程，用以除去露出之该牺牲层。