| 发明名称 |
一种高频薄膜热电变换器的结构及制作方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种高频薄膜热电变换器的结构及制作方法。薄膜热电变换器的加热电阻(3)由中心的氮化硅或二氧化硅绝缘芯层(8)及包围绝缘芯层(8)的表面导电层(7)组成，可减小趋肤效应对薄膜热电变换器的热电转换性能的影响。在腐蚀绝热薄膜(2)的同时将加热电阻焊盘(5)之间硅衬底完全腐蚀。由于空气的介电常数远小于硅材料的介电常数，因此可以有效减小加热电阻焊盘(5)之间的电容，从而减小热电转换器过程中的交直流转换误差。 |
| 申请公布号 |
CN104409622A |
申请公布日期 |
2015.03.11 |
| 申请号 |
CN201410545132.2 |
申请日期 |
2014.10.15 |
| 申请人 |
中国计量学院 |
发明人 |
韩建强;俞亦茂;厉森;程冰;李青 |
| 分类号 |
H01L35/32(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L35/32(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
一种高频薄膜热电变换器，其特征在于薄膜热电变换器的加热电阻(3)由中心的氮化硅或二氧化硅绝缘芯层(8)及包围绝缘芯层(8)的表面导电层(7)组成；在腐蚀绝热薄膜(2)的同时将加热电阻焊盘(5)之间硅衬底完全腐蚀，形成隔离槽(6)。 |
| 地址 |
310018 浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号中国计量学院 |
