CVD成膜工艺的膜厚调节优化方法

摘要

本发明公开一种应用于CVD成膜工艺的膜厚调节优化方法，包括进行基准实验以获取基准膜厚；仅改变基准实验的工艺气体流量进行多组测试实验以获取测试硅片的膜厚；以相对于基准实验气体流量的流量变化值以及该流量变化值造成的相对于基准膜厚的膜厚变化值为变量建立目标函数，并确定该目标函数的约束条件为膜厚变化值与流量变化值呈线性关系；根据多组测试实验结果及约束条件计算目标函数的值最小时的最优流量变化值；以最优流量变化值调节基准流量作为最优气体流量并获取测试硅片的最优膜厚；以及判断最优膜厚与目标膜厚的膜厚差值大于预定值时以最优气体流量作为基准实验的工艺气体流量，并重复上述步骤。本发明可提高膜厚调节效率。

主权项

一种CVD成膜工艺的膜厚调节优化方法，所述CVD成膜工艺为通过导入工艺气体在多个半导体硅片的表面形成薄膜，其特征在于，所述膜厚调节优化方法包括以下步骤：S1：进行基准实验以获取所述多个半导体硅片中测试硅片的基准膜厚，其中所述基准实验采用的工艺气体流量为基准流量；S2：进行多组测试实验以获取所述测试硅片的膜厚，其中每组所述测试实验的实验条件为仅改变基准实验的工艺气体流量；S3：以相对于所述基准流量的流量变化值以及该流量变化值所造成的相对于所述基准膜厚的膜厚变化值为变量建立目标函数，并确定该目标函数的约束条件，其中所述约束条件为所述膜厚变化值与所述流量变化值呈线性关系；S4：根据所述多组测试实验的结果及所述约束条件计算所述目标函数的值最小时的最优解以得到相对于所述基准气体流量的最优流量变化值；S5：以所述最优流量变化值调节所述基准流量为最优气体流量并获取所述测试硅片的最优膜厚；以及S6：判断所述最优膜厚与目标膜厚的膜厚差值，若大于预定范围则将所述最优气体流量作为所述基准实验采用的工艺气体流量，并重复进行步骤S1至步骤S5直至所述最优膜厚与目标膜厚的膜厚差值处于所述预定范围内。