| 主权项 |
一种双扩散汲极金属氧化物半导体(double diffused drain metal oxide semiconductor,DDDMOS)元件，形成于一P型基板中，且另有一低压元件形成于该基板中，该DDDMOS元件包含：一第一井区，具有第二导电型，与该低压元件中之一第二井区，利用相同制程步骤，形成于该基板中；一第一闸极，形成于该基板上，该第一闸极具有在通道方向上相对之一第一侧与一第二侧，其中，部分该第一井区位于相对较靠近该第一侧之该第一闸极下方；一扩散区，具有第一导电型，与该低压元件中之一轻掺杂汲极区，利用相同制程步骤，形成于该基板中，其中，至少部分该扩散区位于该第二侧外之该基板中；以及一第一源极与一第一汲极，皆具有第一导电型，分别形成于该第一侧与该第二侧外之该基板中，由上视图视之，该第一汲极与该第一闸极间，由部分该扩散区隔开，且该第一源极位于该第一井区中；其中该基板包括一非磊晶基板，且该DDDMOS元件更包含一第二导电型第一深井区，与该低压元件中之一第二深井区，利用相同制程步骤，形成于该基板中，且该第一井区、该扩散区、该第一源极与该第一汲极位于该第一深井区中。
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