发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI476911 申请公布日期 2015.03.11
申请号 TW101129143 申请日期 2012.08.13
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 郑宗期;郑志成;赵志刚;苏庆煌;林彦华;施侑伸
分类号 H01L27/146;H01L21/265 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种半导体装置的制造方法,包括:利用一前侧离子植入制程在一基板中形成一光主动区;在该基板中形成一隔离区;利用一第一高能量离子植入制程将该光主动区延伸至一第一深度;以及利用一第二高能量离子植入制程将该隔离区延伸至该第一深度,其中该隔离区围绕该光主动区。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号