METHOD FOR THE PREPARATION OF THERMOELECTRIC THIN FILM MATERIAL BASED ON THE P-S NOTE: BI ON A SUBSTRATE OF MICA

摘要

Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-SnTe:Bi на підкладках слюди, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують на свіжі відколи (0001) слюди-мусковіту при температурі випаровуванняі температурі осадження. Температура випаровування -, а температура осадження.