| 摘要 |
<p>安定した動作をすることができる信頼性の高い抵抗変化型不揮発性記憶装置および抵抗変化型不揮発性記憶装置の駆動方法を提供する。抵抗変化型不揮発性記憶装置（２００）は、メモリセルアレイ（２０２）と、メモリセル選択回路（２０３、２０４）と、書き込み回路（２０５）と、読み出し回路（２０６）とを備え、書き込み回路（２０５）は、不良メモリセルと同一のビット線およびワード線の少なくともいずれかに配置されている不良メモリセル以外の他のメモリセルに対して、他のメモリセルの抵抗変化素子（３０）を第１の低抵抗状態での抵抗値より大きい抵抗値を示す第２の高抵抗状態にするような第２の高抵抗化パルスを印加する。</p> |
