Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung

摘要

Eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung umfasst Folgendes: eine Driftschicht (1b) eines ersten Leitungstyps; einen Schutzringbereich (2) eines zweiten Leitungstyps, der in einer Ringform in einem Abschnitt von einer Oberfläche der Driftschicht ausgebildet ist; einen Feldisolationsfilm (3), der auf der einen Oberfläche der Driftschicht ausgebildet ist und den Schutzringbereich umgibt; eine Schottky-Elektrode (4), die den Schutzringbereich und die Driftschicht umgibt, die innerhalb des Schutzringbereichs freiliegt, und ein äußeres Umfangsende aufweist, das auf dem Feldisolationsfilm liegt; und eine Oberflächenelektroden-Kontaktstelle (5) auf der Schottky-Elektrode, wobei ein äußeres Umfangsende der Oberflächenelektroden-Kontaktstelle mit dem Feldisolationsfilm über dem äußeren Umfangsende der Schottky-Elektrode in Kontakt kommt.