| 摘要 |
<p>耐圧構造部（３）に、環状のポリシリコンフィールドプレート（７）と金属膜フィールドプレート（９ｂ）との二重構造のフィールドプレートを有する。また、耐圧構造部（３）には、半導体基板（１）のおもて面の表面層に環状の複数のガードリング（４ｂ）が設けられている。ポリシリコンフィールドプレート（７）は、ガードリング（４ｂ）の内周側と外周側とに分離されている。複数のガードリング（４ｂ）のうち少なくとも１つのガードリング（４ｂ）上には、内外周側のポリシリコンフィールドプレート（７）どうしを連結するポリシリコンブリッジ（８）が所定の間隔で全周に亘って設けられている。金属膜フィールドプレート（９ｂ）は、耐圧構造部（３）のコーナー部（３−２）のガードリング（４ｂ）上と、耐圧構造部（３）の直線部（３−１）の少なくとも一つのガードリング（４ｂ）上とに設けられている。</p> |
