双大马士革结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种双大马士革结构的制造方法，通过在介电层和硬掩模层形成具有沟槽的双大马士革图形后，先利用含氟气体干法刻蚀，去除硬掩模层，随后进行阻挡层、籽晶层和金属铜的淀积，最终形成双大马士革结构。本发明的方法去除硬掩模层后可以降低镀铜工艺前特征结构的总膜层厚度和高宽比，增大镀铜工艺的窗口，本发明还可避免现有技术湿法刻蚀去除硬掩模过程中对超低介电材料等介电层的损伤，并可避免湿法药液的作用下有金属进入到介电层中的可能性，解决漏电及介电层可靠性的问题。

主权项

一种双大马士革结构的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供一硅片衬底，并在所述衬底上依次形成介电层和硬掩模层；步骤S02，利用光刻刻蚀，在所述介电层和硬掩模层中形成沟槽，并形成双大马士革图形；步骤S03，利用含氟气体干法刻蚀去除所述硬掩模层；步骤S04，在所述沟槽底面和侧壁形成阻挡层和/或籽晶层，并在所述沟槽内形成金属铜，以形成双大马士革结构。