发明名称 |
使用切割道蚀刻的晶圆切片 |
摘要 |
本发明涉及使用切割道蚀刻的晶圆切片。本发明提供用于自具有第一侧及第二侧的晶圆分开管芯的方法的实施例。该制程实施例包括遮蔽该晶圆的该第一侧,该掩模在其中包括开口以暴露该第一侧的与该晶圆的切割道实质上对准的部分。该制程实施例亦包括自该晶圆的该第一侧的这些暴露部分开始蚀刻,直至在该第一侧与该第二侧之间的中间位置为止,及锯切该晶圆的其余部分,该锯切自该中间位置开始直至到达该第二表面。 |
申请公布号 |
CN102544035B |
申请公布日期 |
2015.03.04 |
申请号 |
CN201110392612.6 |
申请日期 |
2011.11.23 |
申请人 |
美商豪威科技股份有限公司 |
发明人 |
钱胤;戴幸志;D·毛;V·韦内齐亚;W·郑;顾克强;H·E·罗兹 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
刘佳 |
主权项 |
一种用于自具有第一侧及第二侧的晶圆分开管芯的方法,所述方法包含:使用掩模来遮蔽所述晶圆的所述第一侧,所述掩模在其中包括开口以暴露所述第一侧的与该晶圆的切割道实质上对准的部分;自所述晶圆的所述第一侧的暴露部分蚀刻直至所述第一侧与所述第二侧之间的中间位置;以及锯切所述晶圆的其余部分,自所述中间位置开始直至到达所述第二侧;其中所述晶圆包含:具有正面及背面的半导体层;形成于所述半导体层的所述正面上的金属堆迭;及具有自由表面及接合表面的载体晶圆,所述接合表面接合至所述金属堆迭,其中所述半导体层的所述背面为所述晶圆的所述第一侧,所述载体晶圆的所述自由表面为所述晶圆的所述第二侧,且所述中间位置是在所述载体晶圆中,接近所述接合表面。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |