相变存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种相变存储器及其制造方法。根据本发明的相变存储器中，使用设置在存储节点顶部的顶部电极对存储节点进行加热，使得存储节点中的相变层发生相变。本发明的相变存储器中，顶部电极与存储节点的接触区域较小，有利于相变的进行。此外，每列存储节点通过同一个线性顶部电极连接，能够提高光学对准的偏移裕量。

主权项

一种相变存储器，包括多个相变存储器单元，其中每个相变存储器单元包括：存储节点，所述存储节点包括相变层；以及顶部电极，所述顶部电极设置在所述存储节点顶部，并且所述顶部电极的一端电连接到所述存储节点，所述顶部电极的另一端电耦合到位线，其中，所述顶部电极通过对所述存储节点进行加热，使得所述相变层发生相变，其中所述多个相变存储器单元排列成至少一列，并且每列中的相变存储器单元的顶部电极是一体形成的。