发明名称 |
定位裁剪多壁碳纳米管的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种定位裁剪多壁碳纳米管的方法。包括:将一个或多个多壁碳纳米管置于一基片上;在基片上形成一刻蚀用掩模,该刻蚀用掩模具有至少一个刻蚀窗口,每一刻蚀窗口分别对准并暴露出多个多壁碳纳米管中待裁剪的多壁碳纳米管的待裁剪部位;利用刻蚀工艺刻蚀去除待裁剪多壁碳纳米管的待裁剪部位处的一层或多层管壁。通过将多壁碳纳米管置于基片上,并在基片上形成至少一个刻蚀窗口的刻蚀用掩模,每一刻蚀窗口分别对准并暴露出多壁碳纳米管中的待裁剪部位,利用刻蚀工艺刻蚀去除待裁剪多壁碳纳米管裁剪部位处的一层或多层管壁。该方法实现了纳米尺度上多个碳纳米管的定位裁剪,操作工艺简单,可实现规模化生产。 |
申请公布号 |
CN104392902A |
申请公布日期 |
2015.03.04 |
申请号 |
CN201410610638.7 |
申请日期 |
2014.11.03 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
张余春;赵尚骞;梁文杰 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 |
代理人 |
范晓斌;薛峰 |
主权项 |
一种定位裁剪多壁碳纳米管的方法,包括:将一个或多个多壁碳纳米管(10)置于一基片(20)上;在所述基片(20)上形成一刻蚀用掩模,所述刻蚀用掩模具有至少一个刻蚀窗口(40),每一所述刻蚀窗口(40)分别对准并暴露出所述多个多壁碳纳米管中的待裁剪的所述多壁碳纳米管(10)的待裁剪部位;利用刻蚀工艺刻蚀去除所述待裁剪多壁碳纳米管(10)的所述待裁剪部位处的一层或多层管壁。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南三街八号 |