半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成栅极；形成从内往外依次包括第一材料层、第二材料层和第三材料层的叠层，以覆盖衬底表面和栅极的上表面以及栅极的两侧侧壁；蚀刻叠层，以在栅极的两侧侧壁上形成侧壁间隔件，侧壁间隔件包括第一材料层、第二材料层和第三材料层的剩余部分；执行离子注入以在栅极两侧分别形成源区和漏区；去除第三材料层的剩余部分的部分或全部；执行预清洗工艺，其中第二材料层的剩余部分的部分或全部被去除；在源区、漏区和栅极上部形成硅化物；沉积应力膜，以覆盖硅化物和第一材料层的剩余部分。根据上述方法，在实现应力近邻技术的同时避免了硅化物损失的问题。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成栅极；形成从内往外依次包括第一材料层、第二材料层和第三材料层的叠层，以覆盖所述衬底表面和所述栅极的上表面以及所述栅极的两侧侧壁；蚀刻所述叠层，以在所述栅极的两侧侧壁上形成侧壁间隔件，所述侧壁间隔件包括所述第一材料层、所述第二材料层和所述第三材料层的剩余部分；执行离子注入以在所述栅极两侧分别形成源区和漏区；去除所述第三材料层的所述剩余部分的部分或全部；执行预清洗工艺，其中所述第二材料层的所述剩余部分的部分或全部被去除；在所述源区、所述漏区和所述栅极上部形成硅化物；沉积应力膜，以覆盖所述硅化物和所述第一材料层的所述剩余部分。