超高纯砷单晶体片的制备方法

摘要

本发明公开了一种超高纯砷单晶体片的制备方法，包括如下步骤：（1）石英管表面处理（2）超高纯砷脱氧封装（3）置于水平管式炉内（4）水平管式炉熔料和冷却结晶，本发明利用石英管封闭和砷高温熔化时自身产生的压力，达到砷熔化和晶体生长的目的，在常温过冷条件下，管内液态砷达到过冷度时生长晶体，每管生成30～60片，并以孪晶方式生成单晶片，可满足国内产品质量要求及出口质量要求，有较好的应用前景。

主权项

一种超高纯砷单晶体片的制备方法,其特征在于包括如下步骤：（1）石英管表面处理将石英管表面洗净，去除石英管表面的杂质；（2）超高纯砷脱氧封装将超高纯砷装入已经处理干净的石英管内，将石英管在真空条件下加热，去除砷的表面氧化膜，使砷表面显出金属光泽后，熔封石英管；（3）置于水平管式炉内把装有砷且密封好的石英管置于水平管式炉内；（4）水平管式炉熔料和冷却结晶（4.1）把装有砷且密封好的石英管置于水平管式炉内,在36个标准大气压下，升温至820～840℃，恒温50‑60min使石英管内的砷完全熔化；（4.2）把已经熔化砷的石英管管式炉中拖出，放置在冷却结晶水平台上，使其自然冷却降温；（4.3）817℃以下时，石英管内固体砷升华，生成有两个单晶片的孪晶体，断裂后成为两个独立的单晶片，得到产品。