一种基于界面氧空位实现稳定存储的阻变存储器件方法

摘要

本发明公开了一种基于肖特基接触而实现较优存储性能结构简单的阻变存储器件的方法。本发明利用磁控溅射方法在Nb：SrTiO₃单晶衬底上溅射金属金(Au)薄膜，而得到了Au/Nb:SrTiO₃/Au平面结构的存储器件，并得到了稳定保持特性的阻变存储性能。本发明的优点：通过磁控溅射在单晶Nb：SrTiO3衬底上镀金电极制备的阻变存储器件工艺制作过程一步到位，器件制备工序更简单，无需其他复杂的步骤，阻变器件结构简单，适合于工业化生产。性能测试结果表明，相比前面的发明，本发明中的期间具有更好的保持特性，这是决定存储器性能好坏的关键因素之一。

主权项

一种基于界面氧空位实现稳定存储的阻变存储器件方法，其特征包括如下步骤：(1)以10mm×5mm×0.5mm大小的的单晶Nb：SrTiO₃为衬底，并超声清洗干净；(2)制备掩膜板，然后将上述清洗干净的Nb：SrTiO₃衬底用掩膜板遮挡，并露出用于制作电极的位置；(3)然后利用射频磁控溅射方法在清洗干净的单晶衬底上溅射金薄膜作为电极，所使用射频磁控溅射方法时的真空度为9.7×10^‑4pa，溅射气压为0.8Pa，溅射功率为60W，靶基距为5cm。