一种用于制备氮化栅极介质层的装置及方法

摘要

本发明公开了一种用于制备氮化栅极介质层的装置及方法，通过对DPN工艺腔增设相配套的冷却单元，可在DPN工艺腔内部或外部将硅片冷却到-100～0℃，并在制备氮化栅极介质层时的DPN工艺前，对硅片进行冷却，使所述硅片可在低于室温的工艺温度下进行DPN工艺，因而降低了氮离子的扩散效应，使更多的氮离子聚集在二氧化硅介质层的上表面，能够打断更多的Si-O键来与氮离子键合，因此可以掺入更多的氮离子，提高等离子氮化栅极介质层的上表面氮含量，并因此提高了等效氧化物厚度，抑制了硼离子从栅极多晶硅扩散到栅氧中，实现既能降低漏电流密度，增加驱动电流，又能提供高的栅极电容，从而提高了器件的可靠性。

主权项

一种用于制备氮化栅极介质层的装置，包括DPN工艺腔，所述DPN工艺腔内设有第一基座，用于放置硅片，其特征在于，所述第一基座连接冷却单元，所述冷却单元提供低于室温的冷却介质，对所述第一基座及其放置的所述硅片进行冷却，以在制备氮化栅极介质层时，使所述硅片在低于室温的工艺温度下进行DPN工艺。