| 摘要 |
本発明は、４Ｈ−ＳｉＣ結晶で製造された非線形光学デバイスを提供する。当該非線形光学結晶は、特定の周波数を有する少なくとも一つのレーザ（１２）を改変させ、所述周波数と異なる他の特定の周波数を有する少なくとも一つのレーザ（１６）を発生するためのものであり、前記非線形光学結晶は４Ｈ−ＳｉＣ結晶（１３）である。４Ｈ−ＳｉＣ結晶は、高いレーザ損傷閾値、広い光透過範囲（０．３８−５．９μｍ及び６．６−７．０８μｍ）、高い２次非線形光学系数（ｄ１５＝６．７ｐｍ／Ｖ）、大きい複屈折、高い熱伝導率（４９０Ｗｍ−１Ｋ−１）及び高い化学安定性などの特点を有するため、本発明の非線形光学デバイスは、パワーの高い、光束質量の高い中赤外レーザを出力する点で実際の応用需要に良く応えることができ、優れた実際の応用価値を有する。 |
