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发明名称
具有三维通道之半导体元件以及制造具有三维通道之半导体元件的方法;SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING 3D CHANNELS, AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING 3D CHANNELS
摘要
一种半导体元件,其包括基板。基板具有长度方向在第一方向上对齐之第一鳍片、第二鳍片与第三鳍片。第一沟渠在第一鳍片与第二鳍片之间延伸,且第二沟渠在第二鳍片与第三鳍片之间延伸。第一部分场绝缘材料配置于第一沟渠中,而第二部分场绝缘材料配置于第二沟渠中。第二部分场绝缘材料之上部表面是以低于第二鳍片与第三鳍片之最上部表面之程度凹入第二沟渠中。第一虚拟闸极配置于第一部分场绝缘材料之上部表面上,而第二虚拟闸极的至少一部分延伸到第二沟渠中至第二部分场绝缘材料之上部表面。
申请公布号
TW201508838
申请公布日期
2015.03.01
申请号
TW103108864
申请日期
2014.03.13
申请人
三星电子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人
洪秀宪 HONG, SOO-HUN;姜熙秀 KANG, HEE-SOO;金炫助 KIM, HYUN-JO;沈相必 SIM, SANG-PIL;郑熙暾 JUNG, HEE-DON
分类号
H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01)
主分类号
H01L21/336(2006.01)
代理机构
代理人
叶璟宗郑婷文詹富闵
主权项
地址
南韩 KR
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