半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

本发明系将CNT使用在接触通孔的半导体装置，具备：基板，其系具有接触通孔用沟；CNT成长用的触媒层，其系形成于前述沟的底面；及CNT通孔，其系将复数根的CNT埋入至形成有前述触媒层的前述沟内而形成。;而且，前述CNT系使复数的石墨烯层自前述沟的深度方向倾斜的状态下层叠形成，且以前述石墨烯层的末端露出于侧壁的方式形成。并且，至少1种类的元素系从前述CNT的侧壁掺杂至该CNT中。