常态导通高压开关;NORMALLY ON HIGH VOLTAGE SWITCH

摘要

在一些实施例中，常态导通高压开关（“常态导通开关”）引入了沟槽栅极端和掩埋掺杂栅极区。在其他实施例中，所形成的表面栅极控制的常态导通高压开关带有沟槽结构，并且引入了表面栅极电极控制的表面通道。表面栅极控制的常态导通开关还引入了沟槽栅极电极和掩埋掺杂栅极区，以耗尽导电通道，説明断开常态导通开关。因此利用现有的高压半导体场效电晶体（MOSFET）制备工序，可以轻松地制备常态导通开关，并与MOSFET集成。