晶圆级封装半导体之方法

主权项

一种封装在半导体晶圆的表面部分中形成的复数个间隔电晶体的半导体装置之方法，该方法包含下列步骤：以微影法在一第一可以微影法处理的材料中形成复数个开口，该第一可以微影法处理的材料被配置在该半导体晶圆的该表面部分上且接触于该半导体晶圆的该表面部分，该半导体晶圆的该表面部分具有在该第一可以微影法处理的材料中的该复数个开口，该第一可以微影法处理的材料中的该复数个开口的第一部分中的每一个开口露出该复数个间隔电晶体的对应单一电晶体，且该第一可以微影法处理的材料中的该复数个开口的第二部分中的每一个开口露出用于该复数个间隔电晶体之电接触垫；以及设置一支承部，该支承部具有在该支承部的一被选择部分上形成之一坚硬介电层，该坚硬介电层包含一第二可以微影法处理的材料，该坚硬材料系悬浮在该复数个开口之上，且自该支承部中被配置在该第一可以微影法处理的材料中之露出该等电接触垫的该等开口之上的部分去除该坚硬材料。