包括双电力线之静态随机存取记忆体装置及其位元线预充电之方法;STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE INCLUDING DUAL POWER LINE AND BIT LINE PRECHARGE METHOD THEREOF

摘要

提供一静态随机存取记忆体(SRAM)装置。一记忆体胞元被供给一第一驱动电压。一位元线对系连结至该记忆体胞元。一感测放大器系连结至该位元线对。该感测放大器被供给一第二驱动电压，其系低于该第一驱动电压。一控制辑从该等第一及第二驱动电压选择一预充电电压，预充电该位元线对至该预充电电压，及调节该预充电电压至一目标电压。