发明名称 覆晶发光二极体结构
摘要 本发明提供一种覆晶发光二极体结构,包含由下而上依序堆叠的半导体基板、缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、反射电极层、N型欧姆接触电极,及形P型欧姆接触电极,反射电极层包含由下到上依序推叠的第一金属层、第二金属层及石墨烯层,石墨烯层包含复数层石墨烯,藉由第一金属层、第二金属层及石墨烯层,达到高反射、热稳定,并克服半导体与导电元件之间的匹配,而使得覆晶发光二极体结构达到良好的散热效果,藉以改善半导体石基板散热不佳之问题,同时利用第一金属层及第二金属层作为反射式电子层来增加发光二极体的光取出效率。
申请公布号 TW201508948 申请公布日期 2015.03.01
申请号 TW102131096 申请日期 2013.08.29
申请人 陈隆建 发明人 陈隆建;田青禾;江旻学
分类号 H01L33/36(2010.01) 主分类号 H01L33/36(2010.01)
代理机构 代理人 洪尧顺侯德铭
主权项
地址 新北市新庄区龙安路66号3楼 TW